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SIR402DP-T1-GE3	文件：495.1 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIDR402DP-T1-GE3	文件：233.59 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseew	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIR402DP-T1-GE3

文件：495.1 Kbytes

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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SIDR402DP-T1-GE3

文件：233.59 Kbytes

Page：9 Pages

N-Channel40V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseew

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

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N-Channel40V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

详细参数

型号：
SIR402DP-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 35A 36W 6.0mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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