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SIR402DP-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:495.1 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SIDR402DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Gen IV power MOSFET • Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) • Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM • Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: for definitions of compliance please see w

文件:233.59 Kbytes 页数:9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SIDR402DP-T1-GE3

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:204.96 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SIR416DP-T1-GE3

Vishay
PowerPAK-SO-8

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

SiR422DP-T1-GE3

VISHAY
SO-8

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市纽联电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    SIR402DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 35A 36W 6.0mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIR402DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-10-11 20:00:00