选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
留言
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VISHAYSO-8 |
6000 |
2237+ |
MOSFET,N沟道,40V,40A,PowerPAK SO-8, |
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深圳市芯泽盛世科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世PAKSO-8 |
6600 |
21+ |
全新原装现货,支持实单!欢迎前来咨询! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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SOP |
29124 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY/支持实单QFN8 |
11639 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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VishayPowerPAK SO-8 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VISHAYPOWERPAK-SO-8 |
99000 |
2020803+ |
找原厂原装进口货选星佑电子就对了深圳现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3608 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYsop |
7530 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK-SO-8 |
8500 |
22+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAYPowerPAK SO-8 Single |
12000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
728 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世PAKSO-8 |
89680 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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VISHAYQFN8 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市科芯奇电子有限公司1年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
17970 |
22+ |
原装正品终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)QFN8 |
11839 |
22+ |
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VSISHAY 品牌专卖 持续到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
18000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
8759 |
1833+ |
只做原装正品 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
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VISHAY威世半导体SO-8 |
11800 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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SIR422DP-T1-GE3图片
SIR422DP-T1-GE3价格
SIR422DP-T1-GE3价格:¥2.5540品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SIR422DP-T1-GE3多少钱,想知道SIR422DP-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.5540。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SIR422DP-T1-GE3批发价格及采购报价,SIR422DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SIR422DP-T1-GE3报价。
SIR422DP-T1-GE3资讯
SIR422DP-T1-GE3 原厂原装 正品现货MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
只做原装价格优势有单必成
SIR422DP-T1-GE3芯片VISHAY代理商现货海天鸿电子科技;VISHAY集成电路芯片;深圳公司仓库现货,只做原装,假一罚十
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SiR422DP-T1-GE3
SiR422DP-T1-GE3,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291,
SIR422DP-T1-GE3全球热点!新增功能NEW!!!
SIR422DP-T1-GE3全球最新功能述: 制造商零件编号:SIR422DP-T1-GE3 制造商:Vishay 安装方法:SurfaceMount 封装形式:POWERPAK-SO-8 包装:REEL 标准包装数量:3,000 入库数量:63200PCS 产品批次:1713+ 实物图片 解述:Vishay40VTrenchFET®第四代和1
SIR422DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIR422DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 40A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube