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SIHB22N60S-E3

S Series Power MOSFET

文件:151.91 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG22N60S-E3

600 V Power mosfets

600 V POWER MOSFETs Vishay is adding to its Super Junction power MOSFET family with new n-channel devices in the TO-247 package, featuring ultra-low maximum on-resistance and low gate charge for an improved figure of merit (FOM). Features: • High Ear capability • Improved Ron x Qg figure of me

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHP22N60S-E3

S Series Power MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG16N50C-E3

TO-247

VISHY

SIHG22N60E-GE3

TO-247

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SIHB22N60S-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
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更多SIHB22N60S-E3供应商 更新时间2026-1-30 16:00:00