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详细参数

  • 型号:

    SIHB12N65E-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 392mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    700 V

  • 闸/源击穿电压:

    20 V

  • 漏极连续电流:

    12 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.392 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    D2PAK-3

  • 封装:

    Bulk

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更多SIHB12N65E-GE3供应商 更新时间2026-10-9 14:16:00