| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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6年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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5年
留言
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SD2PAK |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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6年
留言
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VISHAYTO-263 |
1675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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1年
留言
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VISHAY/威世NA |
7000 |
26+ |
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2年
留言
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VISHAY/威世TO-263 |
20000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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6年
留言
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VISHAYTO-263 |
1675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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4年
留言
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VBSEMI/微碧半导体TO220 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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2年
留言
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VBSEMI/微碧半导体TO220 |
48000 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
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11年
留言
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VBSEMI/微碧半导体TO220 |
7800 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
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5年
留言
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S22+ |
6000 |
D2PAK |
十年配单,只做原装 |
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6年
留言
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VISHAYTO-263 |
1675 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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SIHB22N60E-E3价格
SIHB22N60E-E3价格:¥11.4969品牌:Vishay
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更多SiHB22N60E-E3功能描述:MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube















