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V20120C	文件：141.74 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：166.29 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC •Haloge	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：129.93 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：162.33 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120S	文件：141.04 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：160.88 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：142.26 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：166.5 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：162.45 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120SG	文件：164.09 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
SICB20120Y-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1552pF @ 0V, 1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC SCHOTTKY BARRIER 1200V 20A,

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