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U20120RG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkCommonAnodeUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
U20120SG	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereHeatsinkSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
UFT20120	文件：231.22 Kbytes Page：4 Pages	ULTRAFASTRECOVERYMODULES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UFT20120	文件：219.08 Kbytes Page：4 Pages	UltrafastRecoveryModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
V20120C	文件：130.83 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V20120C	文件：167.06 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage) •Componentinacco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
SICB20120Y-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1552pF @ 0V, 1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
D2PAK
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC SCHOTTKY BARRIER 1200V 20A,

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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