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SI7898DP-T1-E3

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件:370.7 Kbytes 页数:12 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7898DP-T1-GE3

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

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Si7898DP-T1-GE3

SO-8

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上传:深圳市纽联电子有限公司

SI7922DN-T1-GE3

SMD

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SI-8005Q-TL

HSOP8

SANKEN/三垦

详细参数

  • 型号:

    SI7898DP-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7898DP-T1供应商 更新时间2025-12-22 23:01:00