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SI7900AEDN-T1-E3

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET, Common Drain

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET: 1.8 V rated • New PowerPak® package - Low thermal resistance, RthJC - Low 1.07 mm profile • 3000 V ESD protection • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Protection switch for 1-2 Li-

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SI7900AEDN-T1-E3

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain

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SI7922DN-T1-GE3

SMD

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SI-8005Q-TL

HSOP8

SANKEN/三垦

SI8233AB-D-IMR

LGA14

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI7900AEDN-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 8.5A 1.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7900AEDN-T1-E3供应商 更新时间2025-12-23 18:08:00