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SI7997DP-T1-GE3 | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •PWMoptimized •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Batteryandload switching fornotebookPCs | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | |
SI7997DP-T1-GE3 | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
详细参数
- 型号：
SI7997DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
23+ |
PowerPAK? SO-8 双 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
18+ |
SMD |
8612 |
只做原装正品 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
NA |
10000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
SMD |
6555 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
18000 |
公司只做原装现货库存! |
询价 | ||
VISHAY |
22+ |
QFN8 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
VISHAY威世半导体 |
23+ |
SO-8-双 |
16262 |
进口原装假一赔十可开增值票 |
询价 | ||
Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK SO-8 |
60045 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
700000 |
公主请下单 柒号只做原装 |
询价 | ||
VISHAY |
22+ |
PPAK-SO-8 |
4000 |
原装正品 现货 真诚出货 |
询价 |
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更新时间2024-4-27 14:14:00
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