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SI7980DP-T1-GE3

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:538.71 Kbytes 页数:18 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI-8005Q-TL

HSOP8

SANKEN/三垦

SI8233AB-D-IMR

LGA14

SILICON

SI8233AB-D-IS1R

SOIC-16

SILICON/芯科

SI8233BB-D-IMR其他被动件

LGA14

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI7980DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20/20V 8.0/17A 22/15mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7980DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-23 15:30:00