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详细参数

  • 型号:

    SI7866DP-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
2019+
QFN8
36000
原盒原包装 可BOM配套
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24+
3000
自己现货
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VISHAY
23+
QFN8
5000
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LCC
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VISHAY/威世
23+
QFN8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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VISHAY/威世
23+
QFN
50000
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VISHAY/威世
21+
QFN
10000
原装现货假一罚十
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VISHAY/威世
24+
NA/
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VISHAY/威世
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QFN
26800
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更多SI7866DP-T1供应商 更新时间2025-12-18 16:04:00