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详细参数

  • 型号：

    SI7866DP-T1

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 29A 5.4W 2.5mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市金华微盛电子有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY/威世
2019+
QFN8
36000
原盒原包装 可BOM配套
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深圳市一线半导体有限公司
SI7866DP-T1
24+
3000
自己现货
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY
23+
QFN8
5000
原装正品,假一罚十
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深圳市华斯顿科技有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY
25+23+
LCC
29683
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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深圳市安富世纪电子有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY/威世
23+
QFN8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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深圳市威尔健半导体有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
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京海半导体(深圳)有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY/威世
25+
QFN
10000
原装现货假一罚十
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深圳市亿智腾科技有限公司
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VISHAY
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18560
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款
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SI7866DP-T1
VISHAY/威世
2223+
QFN
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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深圳市博中泰实业有限公司
SI7866DP-T1
VISHAY/威世
24+
QFN8
60000
询价
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