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SI7882DP-T1-E3

VISHAYQFN8

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深圳市凌旭科技有限公司

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SI7882DP-T1-E3

VISHAYQFN8

6000

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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

京海半导体(深圳)有限公司

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SI7882DP

SIQFN-8

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深圳市威尔健半导体有限公司

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SI7882DP

SIQFN-8

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SI7882DP

SIQFN-8

50000

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SI7882DP

VISHAY/威世QFN

15000

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百分百进口原装环保整盘

深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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SI7882DP

VISHAY/威世QFN-8

43600

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SI7882DP-T1-E3

VISHAYQFN8

35200

24+

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SI7882DP-T1-E3

VISHAYQFN8

8600

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SI7882DP-T1-E3其他被动元件

VISHAY/威世QFN8

6000

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SI7882DP-T1-GE3

VISHAYPAKSO-8

5000

24+

全新原装正品,现货销售

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SI7882DP-T1-GE3

VISHAYPAKSO-8

20000

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公司只做原装 品质保证

深圳市科恒伟业电子有限公司

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SI7882DP-T1-GE3

VISHAY/威世QFN

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SI7882DP-T1-E3

SHAYQFN

25000

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一级专营品牌全新原装热卖

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SI7882DP-T1-E3

SHAYQFN

25000

24+

一级专营品牌全新原装热卖

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SI7882DPT1GE3

Vishay SiliconixPowerPAK? SO8

9000

22+

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深圳市宝芯创电子有限公司

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SI7882DP-T1-GE3

VISHAY/威世PAKSO-8

24062

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全新原装现货,可出样品,可开增值税发票

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SI7882DP-T1-E3

SHAYQFN

30000

25+

代理全新原装现货 价格优势

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SI7882DP1-E3

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SI7882DP-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7882DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 22A 5.0W 5.5mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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