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详细参数

  • 型号:

    SI7894ADP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
50000
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NA/
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PAKSO-8
60000
全新原装现货
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2025+
DFN5060
986966
国产
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VISHAY
24+
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有部份现货
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1709+
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45000
普通
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
2450+
QFN8
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更多SI7894ADP-T1-GE3供应商 更新时间2025-11-7 10:59:00