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SI7866ADP	文件：303.13 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free available • TrenchFET® Power MOSFET • Low RDS(on) • PWM (Qgd and Rg) Optimized • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC Converters in Desktops • Low Output Voltage Synchronous Rectifier 文件：303.13 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI7866ADP	文件：304.77 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：304.77 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI7866ADP	文件：151.38 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：151.38 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI7866ADP_V01	文件：303.13 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free available • TrenchFET® Power MOSFET • Low RDS(on) • PWM (Qgd and Rg) Optimized • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/DC Converters in Desktops • Low Output Voltage Synchronous Rectifier 文件：303.13 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI7866ADP_17	文件：304.77 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：304.77 Kbytes 页数：13 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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详细参数

型号：
SI7866ADP
功能描述：
MOSFET 20V 40A 0.0024Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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