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详细参数
- 型号：
SI7860DP-E3
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 18A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
3425 |
询价 | ||||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
17+ |
SOP-8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
19+ |
TSSOP |
20000 |
584 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TSSOP |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSSOP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSSOP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
21+ |
QFN |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
TSSOP |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 |
更多SI7860DP-E3供应商
更新时间2025-11-1 15:30:00
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- XC6501A251GR-G
- XC6501A281GR-G
- XC6124D317ER-G
- XC6124D325MR-G
- XC6124D326MR-G
- XC6124D328ER-G
- XC6124D329MR-G
- XC6124F517ER-G
- XC6124F518ER-G
- XC6124F519ER-G
- XC6124F521MR-G
- XC6124F526MR-G
- SMAL7
- SMALL KIT NT
- SMALLTALK
- SMAM-RSMAM-3GT50G-50
- XC6501P181HR-G
- XC6501P281HR-G
- XC6501P301HR-G
- XC6504A121MR-G
- SMA17
- SMA180
- SMA18-1S
- SMA2
- SR0303-0320L-01
- SR030-FFM
- SR030-MMM
- SR031-FFMFF
- SR031-MMMMM
- SMB22A
- SMB257-0273101174001
- SO-U2P1-2G
- SOUNDBITE
