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SI7860DP-T1	文件：147.5 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET 文件：147.5 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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详细参数

型号：
SI7860DP-T1
功能描述：
MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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