选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TSSOP |
7906200 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世QFN |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世QFN |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
3590 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYQFN |
6000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYTSSOP |
35200 |
21+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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VISHAYTSSOP |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYQFN |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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SIX |
589 |
1535+ |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISSOP |
3000 |
04+ |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP |
20000 |
19+ |
584 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYQFN-8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYQFN-8 |
1164 |
0346+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VISHAYQFN-8 |
2235 |
0346+ |
只做原装,也只有原装! |
SI7860DP-T1采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7860DP-T1图片
SI7860DP-T1-E3价格
SI7860DP-T1-E3价格:¥8.7941品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI7860DP-T1-E3多少钱,想知道SI7860DP-T1-E3价格是多少?参考价:¥8.7941。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7860DP-T1-E3批发价格及采购报价,SI7860DP-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI7860DP-T1-E3报价。
SI7860DP-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7860DP-T1功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7860DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7860DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube