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详细参数
- 型号：
SI7844DP-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30V 10A 3.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
QFN |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
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70000 |
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VIS |
24+ |
60000 |
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VISHAY |
16+ |
QFP |
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VISHAY |
2016+ |
QFN |
9000 |
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VISHAY |
25+ |
QFN |
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VishaySiliconix |
23+ |
QFN |
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VISHAY |
25+ |
QFN |
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VISHAYSEM |
23+ |
NA |
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VISHAY |
25+23+ |
QFN8 |
41244 |
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更新时间2026-2-2 10:16:00
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