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SI3499DV-T1-E3 | P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET 文件：91.36 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
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VISHAY | Vishay | |||
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详细参数
- 型号：
SI3499DV-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
TSOP-6 |
3500 |
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Vishay/Siliconix |
24+ |
6-TSOP |
7500 |
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VISHAY |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
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TSOP-6 |
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VISHAY |
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SOT23 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
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VISHAY |
22+ |
SOT23-6 |
6000 |
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Vishay Siliconix |
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SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
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VISHAY |
22+ |
SOT23-6 |
25000 |
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更新时间2025-10-3 16:31:00
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