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SSF2302	文件：393.49 Kbytes Page：7 Pages	Batteryprotection DESCRIPTION TheSSF2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GENERALFEATURES ●VDS=20V,ID=2.4A RDS(ON)	SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微电子新硅能微电子(苏州)有限公司	SILIKRON
SSM2302	文件：474.33 Kbytes Page：20 Pages	FilterlessHighEfficiencyClass-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2302CPZ-REEL	文件：474.33 Kbytes Page：20 Pages	FilterlessHighEfficiencyClass-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2302N	文件：150.28 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
ST2302	文件：84.47 Kbytes Page：6 Pages	NChannelEnchancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST2302istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappl	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST2302	文件：1.05175 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ST2302M	文件：170.43 Kbytes Page：6 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST2302MistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapp	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST2302MSRG	文件：170.43 Kbytes Page：6 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST2302MistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageapp	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST2302MSRG	文件：1.05269 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS2302A	文件：109.49 Kbytes Page：7 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop

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详细参数

型号：
SI2302-TP
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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