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STS2302S	文件：806.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SY2302	文件：750.72 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
T2302	文件：473.68 Kbytes Page：9 Pages	Arangeofprofessionalqualitytweezers [CarlKammerling] RangeDescription Arangeofprofessionalqualitytweezers Features PrecisionTweezers •Precisiontweezersfortheintricategripping,positioningandholdingtasksencounteredinassemblyandmaintenance/repairwork,commonlyfoundinelectronicandprecision	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
T2302	文件：266.74 Kbytes Page：5 Pages	SENSITIVEGATESILICONTRIACS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
T2302	文件：137.77 Kbytes Page：2 Pages	2.5-ASensitive-GateSiliconTriacs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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T2302A	文件：137.77 Kbytes Page：2 Pages	2.5-ASensitive-GateSiliconTriacs	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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详细参数

型号：
SI2302-TP
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 3A 8.5S
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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