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SI2301BDS-T1	文件：59.87 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Description: P-Channel, 20-V (D-S) MOSFET Package: SOT-23 Pin Out: Identical 文件：59.87 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2301BDS-T1-E3	文件：213.22 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Description: P-Channel, 20-V (D-S) MOSFET Package: SOT-23 Pin Out: Identical 文件：213.22 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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SI2301BDS-T1-GE3	文件：1.03515 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.03515 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
SI2301BDS-T1
功能描述：
MOSFET 20V 2.4A 0.7W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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