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SGP04N60XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGU04N60	文件：391 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SID04N60-C	文件：244.02 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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SSD04N60J	文件：161.93 Kbytes Page：3 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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产品属性

产品编号：
SGP04N60XKSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，4A
开关能量：
131µJ
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/237ns
测试条件：
400V，4A，67 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
PG-TO220-3-1
描述：
IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3

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