| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
2000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市金华微盛电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
18578 |
19+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
13138 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
12580 |
24+23+ |
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司8年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
13138 |
23+ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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现代芯城（深圳）科技有限公司8年
留言
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N/A |
73000 |
24+ |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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FSCTO-220 |
4500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Fairchild/ONTO220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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艾睿国际（香港）有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FSCTO-220 |
27105 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
5250 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
SGP5N60RUF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SGP5N60RUF图片
SGP5N60RUFTU中文资料Alldatasheet PDF
更多SGP5N60RUF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGP5N60RUFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGP5N60RUFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGP5N60RUFDTU功能描述:IGBT 晶体管 Dis Short Circuit Rated IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGP5N60RUFTU功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
