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SIK04N60SL	文件：559.59 Kbytes Page：5 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：559.59 Kbytes 页数：5 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
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SIK04N60SL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MosFET	Secos 喜可士	Secos
SKB04N60	文件：1.15403 Mbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode 文件：1.15403 Mbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKB04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
SKP04N60	文件：394.62 Kbytes Page：13 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode • 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses • Short circuit withstand time – 10 µs • Designed for: - Motor controls - Inverter • NPT-Technology for 600V applications 文件：394.62 Kbytes 页数：13 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Type：
N
VDSS (V)：
600
VGS (V)：
± 30
RDS(on)(Ohms)：
2.4 (Ω)
ID (A)：
4
PD (W)：
95
Package：
TO-262

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宝芯创电子有限公司	SIK160808T-68NK	YAGEO	2026+	SMD	4000	原厂原装仓库现货,欢迎咨询	询价
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更多SIK04N60SL供应商更新时间2026-1-30 14:53:00

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