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SGH40N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SGH40N60UFD

参数属性

SGH40N60UFD 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 160W TO3P

功能描述

600V, PT IGBT
IGBT 600V 40A 160W TO3P

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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SGH40N60UFD规格书详情

描述 Description

飞兆的 UFD 系列绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。 UFD 系列设计用于需要高速开关特性的电机控制和一般逆变器等应用。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压: V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 20 A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD: trr=42 ns(典型值)

应用 Application

• 其他工业

简介

SGH40N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH40N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    SGH40N60UFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    160µJ(开),200µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/65ns

  • 测试条件:

    300V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 160W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
TO-3P
25585
原装正品现货
询价
ON
22+23+
TO-3P
8000
新到现货,只做原装进口
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ON/安森美
23+
TO-247
10803
全新原装正品现货可开票
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22+
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18000
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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现货,原厂原装假一罚十!
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只做原装 有挂有货 假一罚十
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FAIRCHILD/仙童
21+
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