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SGH40N60UF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

SGH40N60UF

参数属性

SGH40N60UF 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 160W TO3P

功能描述

IGBT,600V,PT
IGBT 600V 40A 160W TO3P

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 14:35:00

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SGH40N60UF规格书详情

描述 Description

飞兆半导体的 UF 系列 IGBT 提供低导通和开关损耗。UF 系列设计用于需要高速开关特性的一般逆变器和 PFC 等应用。

特性 Features

•20 A、600 V,需 TC = 100°C
•低饱和电压:V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 20A
•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
•高输入阻抗

应用 Application

• 其他工业

简介

SGH40N60UF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH40N60UF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :SGH40N60UF

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :20

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.1

  • VF Typ (V)

    :-

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.2

  • Eon Typ (mJ)

    :0.16

  • Trr Typ (ns)

    :-

  • Irr Typ (A)

    :-

  • Gate Charge Typ (nC)

    :97

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :-

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :160

  • Co-Packaged Diode

    :No

  • Package Type

    :TO-3P-3L

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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