SGH40N60UF中文资料IGBT，600V，PT数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆半导体的 UF 系列 IGBT 提供低导通和开关损耗。UF 系列设计用于需要高速开关特性的一般逆变器和 PFC 等应用。

特性 Features

•20 A、600 V，需 TC = 100°C
•低饱和电压：V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 20A
•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
•高输入阻抗

应用 Application

• 其他工业

简介

SGH40N60UF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGH40N60UF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。