Ultra-Fast IGBT

General Description Fairchild®’s UF series IGBTs provide low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as general inverter and PFC where high speed switching is required feature. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat)

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FAIRCHILD

仙童半导体

SGH40N60UF 600 V PT IGBT

General Description Fairchild®’s UF series IGBTs provide low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as general inverter and PFC where high speed switching is required feature. Features • High Speed Switching • Low Saturation Voltage: VCE(sat)

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FAIRCHILD

仙童半导体

Ultra-Fast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

Ultra-Fast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

Ultra-Fast IGBT

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FAIRCHILD

仙童半导体

IGBT，600V，PT

飞兆半导体的 UF 系列 IGBT 提供低导通和开关损耗。UF 系列设计用于需要高速开关特性的一般逆变器和 PFC 等应用。 •20 A、600 V，需 TC = 100°C\n•低饱和电压：V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 20A\n•典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns\n•高输入阻抗;

ONSEMI

安森美半导体

600V, PT IGBT

飞兆的 UFD 系列绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。 UFD 系列设计用于需要高速开关特性的电机控制和一般逆变器等应用。 •高速开关\n•低饱和电压： V CE(sat) = 2.1 V @ I C = 20 A\n•高输入阻抗\n•CO-PAK、IGBT 及 FRD： trr=42 ns（典型值）;

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 160W TO3P

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 160W TO3P

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A TO3P

ONSEMI

安森美半导体