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SGF80N60UF	文件：567.62 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-Fast IGBT GeneralDescription FairchildsInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)UFseriesprovideslowconductionandswitchinglosses.UFseriesisdesignedfortheapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswhereHighSpeedSwitchingisrequired. Features •HighSpeedSwitching •LowSa	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGF80N60UFTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-3P-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 80A 110W TO3PF	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
80N60B	文件：45.33 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FGH80N60FD	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：665.97 Kbytes Page：9 Pages	600V,80AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforinductionheating,telecom,ESSandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH80N60FDTU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXGK80N60A	文件：41.32 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSK80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBTShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSN80N60A	文件：71.97 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXSX80N60B	文件：46.76 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrentIGBTShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •Veryhighcurrent,fastswitchingIGBT •LowVCE(sat) -forminimumon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptiblepow	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
SGH80N60	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UF	文件：557.86 Kbytes Page：7 Pages	Ultra-FastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFD	文件：645.83 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SGH80N60UFDTU	文件：701.15 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT GeneralDescription FairchildsUFDseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.TheUFDseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrolandgeneralinverterswherehighspeedswitchingisarequiredfeature. Features •Highspeeds	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SIHG80N60E	文件：150.78 Kbytes Page：7 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG80N60E	文件：207.69 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG80N60EF	文件：201.17 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
SGF80N60UF
功能描述：
IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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