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SGF80N60UF中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

SGF80N60UF
厂商型号

SGF80N60UF

参数属性

SGF80N60UF 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 110W TO3PF

功能描述

Ultra-Fast IGBT

文件大小

567.62 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 9:36:00

SGF80N60UF规格书详情

General Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF series provides low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as motor control and general inverters where High Speed Switching is required.

Features

• High Speed Switching

• Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

• High Input Impedance

Application

AC & DC Motor controls, General Purpose Inverters, Robotics, Servo Controls

产品属性

  • 产品编号:

    SGF80N60UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    570µJ(开),590µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    23ns/90ns

  • 测试条件:

    300V,40A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 110W TO3PF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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