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SGF80N60UF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
SGF80N60UF规格书详情
描述 Description
飞兆的绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)UF系列提供低导通和开关损耗。 UF系列设计用于需要高速开关特性的电机控制和一般逆变器等应用。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat) = 2.1V @ IC = 40A
•高输入阻抗
应用 Application
运动控制-家用设备
简介
SGF80N60UF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGF80N60UF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
SGF80N60UFTU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,40A
- 开关能量:
570µJ(开),590µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/90ns
- 测试条件:
300V,40A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3PF
- 描述:
IGBT 600V 80A 110W TO3PF
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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