SGF5N150UF中文资料IGBT，分离式，高性能数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

飞兆的绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)提供低导通和开关损耗。 SGF5N150UF专为开关电源应用而设计。

特性 Features

•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 4.7 V @ I C = 5A
•高输入阻抗

应用 Application

• 其他工业

简介

SGF5N150UF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGF5N150UF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。