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SGF5N150UF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SGF5N150UF |
| 参数属性 | SGF5N150UF 封装/外壳为TO-3P-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF |
| 功能描述 | IGBT，分离式，高性能 |
| 封装外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
| 人工找货 | SGF5N150UF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGF5N150UF规格书详情
描述 Description
飞兆的绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)提供低导通和开关损耗。 SGF5N150UF专为开关电源应用而设计。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压： V CE(sat) = 4.7 V @ I C = 5A
•高输入阻抗
应用 Application
• 其他工业
简介
SGF5N150UF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGF5N150UF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：SGF5N150UF
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1500
- IC Max (A)
：10
- VCE(sat) Typ (V)
：4.7
- VF Typ (V)
：-
- Eoff Typ (mJ)
：0.1
- Eon Typ (mJ)
：0.19
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：30
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：62.5
- Co-Packaged Diode
：No
- Package Type
：TO-3PF-3L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3310 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-3PF |
880000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO-3PF |
1709 |
询价 | |||
FSC/ON |
17+ |
TO-3PF-3L |
150 |
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询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-3PF |
7650 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-3PF |
8850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
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18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3PF |
12245 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
TO-3PF |
9500 |
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询价 |
