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UPA807	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSSUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain \|S21e\|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5179)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA807T	文件：273.74 Kbytes Page：10 Pages	SILICONTRANSISTOR MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIER NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR (WITHBUILT-IN2ELEMENTS)SUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain \|S21e\|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Bu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA807T	文件：252.11 Kbytes Page：12 Pages	NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA807T	文件：56.87 Kbytes Page：8 Pages	MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSSUPERMINIMOLD FEATURES •LowCurrent,HighGain \|S21e\|2=9dBTYP.@VCE=2V,IC=7mA,f=2GHz \|S21e\|2=8.5dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •ASuperMiniMoldPackageAdopted •Built-in2Transistors(2×2SC5179)	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UZ807	文件：224.84 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS3WATT	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
VIM-807	文件：30.39 Kbytes Page：1 Pages	REMARKS:N.C=NOCONNECTION	VARITRONIXVaritronix international limited 京东方精电京东方精电有限公司（香港）	VARITRONIX
ZUMT807	文件：29.06 Kbytes Page：1 Pages	SOT323PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR SOT323PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR PARTMARKINGDETAILSZUMT807-25-T8 ZUMT807-40-T24 COMPLEMENTARYTYPESZUMT807-25-ZUMT817-25 ZUMT807-40-ZUMT817-40	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
SFAS807G MNG
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
8A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
60pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB

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