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FDS9926A	文件：117.82 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS9926A	文件：206.65 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features •6.5A,20V.RDS(ON)=0.030Ω@VGS=4.5V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS9926A-NL	文件：986 Kbytes Page：7 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDW9926A	文件：117.54 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW9926A	文件：251.03 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDW9926NZ	文件：120.07 Kbytes Page：5 Pages	CommonDrainN-Channel2.5VspecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildsSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features •4.5A,20V.RDS(ON)=32mW@V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK9926	文件：2.99191 Mbytes Page：4 Pages	Advancedtrenchprocesstechnology	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GAPM9926	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GAPM9926C	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GSS9926	文件：306.59 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GSS9926E	文件：299.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GT9926NW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
GTC9926	文件：325.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTC9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926	文件：334.32 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMC 华昕	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMC 华昕	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMC 华昕	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMC 华昕	HSMC

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更多SE9926供应商更新时间2024-5-11 10:20:00

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