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GSS9926E	文件：299.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GT9926NW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
GTC9926	文件：325.1 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTC9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTS9926	文件：334.32 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926providesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive *Lowdrivecurrent	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GTS9926E	文件：363.27 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGTS9926Eprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. Features Lowon-resistance Capableof2.5Vgatedrive Lowdrivecurrent Surfacemountpackage	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H9926CS	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926CTS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926S	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
H9926TS	文件：44.8 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(20V,6A) Description ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofadvancedtrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V-10V) Features •RDS(on)=40mΩ@VGS=2.5V,ID=5.2A;RDS(on)=30mΩ@VGS=4.5V,ID=6A •HighDensit	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

详细参数

型号：
GSS9926E
制造商：
GTM
制造商全称：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	GSS9926E	GTM	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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