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AM8958C	文件：243.35 Kbytes Page：8 Pages	P&N-Channel32-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
CEC8958A	文件：951.6 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES 30V,21A,RDS(ON)=26mW@VGS=10V. RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. -30V,-16A,RDS(ON)=46mW@VGS=-10V. RDS(ON)=77mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM8958	文件：835.36 Kbytes Page：9 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) FEATURES ●30V,5.3A,RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=50mΩ@VGS=4.5V. -30V,-4.0A,RDS(ON)=65mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandin	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM8958	文件：2.91216 Mbytes Page：8 Pages	P-ChanelandN-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM8958A	文件：427.18 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,6.8A,RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ@VGS=4.5V. ■-30V,-4.8A,RDS(ON)=58mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapabili	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM8958A	文件：834.82 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 30V,6.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. -30V,-5.4A,RDS(ON)=45mW@VGS=-10V. RDS(ON)=80mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM8958B	文件：934.92 Kbytes Page：7 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) 30V,6.8A,RDS(ON)=28mW@VGS=10V. FEATURES RDS(ON)=42mW@VGS=4.5V. -30V,-4.5A,RDS(ON)=65mW@VGS=-10V. RDS(ON)=95mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHM8958JPT	文件：551.26 Kbytes Page：5 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT5.2Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomoto	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
FDS8958	文件：587.09 Kbytes Page：9 Pages	NP-ChannelMOSFET Features N-Channel VDS(V)=30V ID=7A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS8958	文件：233.48 Kbytes Page：8 Pages	DualN&P-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
SDM8958
制造商：
SAMHOP
制造商全称：
SAMHOP
功能描述：
Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor( N and P Channel)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SDM8958	SAMHOP	2024+	SO8	50000	原装现货	询价
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