SD2942数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
SD2942 |
参数属性 | SD2942 封装/外壳为M244;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M244 |
功能描述 | 350W - 50V HF/VHF DMOS PUSH-PULL TRANSISTOR |
封装外壳 | M244 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 8:31:00 |
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SD2942规格书详情
描述 Description
The SD2942 is a gold metallized N-channel MOS field-effect RF power transistor. The SD2942 offers 25% lower RDS(ON) than industry standard and 20% higher power saturation than ST SD2932. These characteristics make the SD2942 ideal for 50 V DC very high power applications up to 250 MHz.
特性 Features
• Gold metallization
• Excellent thermal stability
• Common source push-pull configuration
• POUT = 350 W min. with 15 dB gain @ 175 MHz
• Low RDS(on)
简介
SD2942属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的SD2942晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:SD2942
- 生产厂家
:ST
- Package
:M244
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Frequency_nom(MHz)
:175
- Output Power_nom(W)
:350
- Power Gain_nom(dB)
:15
- Efficiency_nom(%)
:55
- R_th(J-C)_max
:0.35
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBI |
24+ |
TO-59 |
193 |
价格优势 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
原厂原装 |
16000 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
35200 |
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询价 | |||
ST |
25+ |
M244 |
10000 |
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ST |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
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STMicroelectronics |
2022+ |
M244 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
24+ |
CAN |
500000 |
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24+ |
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ST/意法 |
24+ |
TO-62 |
990000 |
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ST |
25+ |
TO-62 |
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