SD2918数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
SD2918 |
| 参数属性 | SD2918 封装/外壳为M113；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113 |
| 功能描述 | 30W - 50V HF/VHF DMOS TRANSISTOR |
| 封装外壳 | M113 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 23:00:00 |
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SD2918规格书详情
描述 Description
The SD2918 is a n-channel MOS field-effect RF power transistor. It is intended for use in 50 V dc large signal applications up to 200 MHz.
特性 Features
Gold metallization
Common source configuration
Excellent thermal stability
P
OUT = 30 W min. with 18 dB gain @ 30 MHz
简介
SD2918属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的SD2918晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
SD2918
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
30MHz
- 增益：
22dB
- 额定电流（安培）：
6A
- 功率 - 输出：
30W
- 封装/外壳：
M113
- 供应商器件封装：
M113
- 描述：
TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M113
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
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