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SBT5401	文件：193.78 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551 文件：193.78 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5401	文件：258.37 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551 文件：258.37 Kbytes 页数：5 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5401F	文件：267.38 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551F 文件：267.38 Kbytes 页数：5 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5401F	文件：192.98 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551F 文件：192.98 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551	文件：191.98 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401 文件：191.98 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551	文件：261.06 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401 文件：261.06 Kbytes 页数：5 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5551F	文件：191.38 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401F 文件：191.38 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5551F	文件：265.08 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Transistor Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5401F 文件：265.08 Kbytes 页数：4 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
SBT5CLHFPPC	文件：85.84 Kbytes Page：1 Pages	cUL Recognized to IEC60601-1-8 AMD1 7880593 文件：85.84 Kbytes 页数：1 Pages	MSPI 马洛里	MSPI
SBT5CLHSPPC	文件：85.83 Kbytes Page：1 Pages	cUL Recognized to IEC60601-1-8 AMD1 Cardiac Melody 文件：85.83 Kbytes 页数：1 Pages	MSPI 马洛里	MSPI

技术参数

Classifacation：
Single type
VCEO [V]：
160
IC[mA]：
600
hFE_Min：
80
hFE_Max：
250
hFE@ VCE [V]：
5
hFE@ IC[mA]：
10
VCE(sat) [V]_Max：
0.2
VCE(sat) [V]@ IC[mA]：
10
VCE(sat) [V]@ IB[mA]：
1
fT[MHz]@ VCE [V]：
10
fT[MHz]@ IC[mA]：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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