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SBT5401F	文件：192.98 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551F 文件：192.98 Kbytes 页数：3 Pages	AUK	AUK
SBT5401F	文件：267.38 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Transistor Description • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = -160V, VCEO = -160V • Low collector saturation voltage : VCE(sat)=-0.5V(MAX.) • Complementary pair with SBT5551F 文件：267.38 Kbytes 页数：5 Pages	KODENSHI 可天士	KODENSHI
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