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S9013	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor FEATURES Power dissipation PCM : 0.3 W Collector Current ICM : 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating & storage junction temperature Tj, Tstg : - 55°C ~ + 150°C 文件：349.4 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9013	文件：856.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：J3；Package：SOT-23；TRANSISTOR (NPN) FEATURES High Collector Current. Complementartyo S9012. ExcellenhtF E Linearity. 文件：856.2 Kbytes 页数：4 Pages	SY 顺烨电子	SY
S9013	文件：52.23 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The S9013 is designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. Features •High Total Power Dissipation. (PT:625mW) •High Collector Current. (IC:500mA) • Complementary to S9012 • Excellent linearity. 文件：52.23 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
S9013	文件：1.57906 Mbytes Page：3 Pages	丝印：J3；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= 500mA). ● Complementary To S9012. ● Excellent HFE Linearity. ● Power dissipation.(PC=300mW). APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：1.57906 Mbytes 页数：3 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
S9013	文件：328.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into three groups, G, H and I, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor 9012 文件：328.1 Kbytes 页数：2 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
S9013	文件：856.22 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES High Collector Current. Complementary to S9012. Excellent hFE Linearity 文件：856.22 Kbytes 页数：4 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
S9013	文件：126.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.625 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 40 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.45 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
S9013	文件：304.68 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= 500mA） ● Complementary To S9012. ● Excellent HFE Linearity. ● Power dissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：304.68 Kbytes 页数：4 Pages	DSK	DSK
S9013	文件：534.18 Kbytes Page：3 Pages	丝印：J3；Package：SOT-23；NPN Transistors Features ● Excellent hFE linearity ● Collector Current :IC=0.5A 文件：534.18 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
S9013	文件：167.81 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complimentary to S9012 文件：167.81 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH

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技术参数

Polarity：
PNP
PC_Max (mW)：
200
IC_Max (mA)：
100
V(BR)CBO_Min (V)：
50
V(BR)CEO_Min (V)：
45
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
200
hFE_Max：
1000
@ VCE (V)：
5
VCE(sat)_Max (V)：
0.3
@ IC (mA)：
100
@ IB (mA)：
10
fT_Min (MHz)：
150

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