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S9013	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. 1W Output Amplifier of Potable Radios in Class B Push-pull Operation. • High total power dissipation. (PT=625mW) • High Collector Current. (IC=500mA) • Complementary to SS9012 • Excellent hFE linearity. 文件：40.08 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
S9013	文件：752.25 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features • High Collector Current.(IC= 500mA） • Complementary To S9012. • Excellent HFE Linearity. • Power dissipation.(PC=300mW) 文件：752.25 Kbytes 页数：3 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
S9013	文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	丝印：J3；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= 500mA） ● Complementary To S9012. ● Excellent HFELinearity. ● Power dissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：230.77 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
S9013	文件：124.21 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE Complementary to S9012 Excellent hFE linearity 文件：124.21 Kbytes 页数：2 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
S9013	文件：275.84 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 1W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. 文件：275.84 Kbytes 页数：2 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
S9013	文件：963.59 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS [SHENZHEN SLS TECHNOLOGY CO.,LTD.] Features: PC and IC are larger, hFE linearity is good; Applications: Used in power amplifier circuit, complementary to S9012. 文件：963.59 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S9013	文件：593.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Complementary to S9012 ● Excellent hFE linearity 文件：593.19 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
S9013	文件：815.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High Collector Current. ● Complementary to S9012. ● Excellent hFE Linearity. 文件：815.52 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9013	文件：588.94 Kbytes Page：4 Pages	丝印：J3；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= 500mA） ● Complementary To S9012. ● Excellent HFE Linearity. ● Power dissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：588.94 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
S9013	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor FEATURES Power dissipation PCM : 0.3 W Collector Current ICM : 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating & storage junction temperature Tj, Tstg : - 55°C ~ + 150°C 文件：349.4 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

晶体管资料

型号：
S9013
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N/P
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.5

技术参数

Polarity：
NPN
PC_Max (mW)：
300
IC_Max (mA)：
500
V(BR)CBO_Min (V)：
40
V(BR)CEO_Min (V)：
25
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
120
hFE_Max：
400
@ VCE (V)：
1
VCE(sat)_Max (V)：
0.6
@ IC (mA)：
500
@ IB (mA)：
50
fT_Min (MHz)：
150

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深圳市慧拓科技有限公司	S9013	CJ	10+	SOT23	3000	全新原装公司现货	询价
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更多S9013供应商更新时间2026-1-17 12:35:00

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