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S9013W	文件：1.74811 Mbytes Page：3 Pages	丝印：J3；Package：SOT-223；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Collector Current Excellent HFE Linearity 文件：1.74811 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
S9013W	文件：313.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= 500mA） ● Complementary To S9012. ● Excellent HFE Linearity. ● Power dissipation.(PT=200mW) APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：313.64 Kbytes 页数：4 Pages	DSK	DSK
S9013W-SOT-323	文件：2.31626 Mbytes Page：3 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR( NPN ) Features ● High Collector Current ● Excellent HFE Linearity 文件：2.31626 Mbytes 页数：3 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
S9013_14	文件：220 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：220 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
S9013_15	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor 文件：349.4 Kbytes 页数：1 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9013-G_13	文件：181.88 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Transistors 文件：181.88 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
S9013-SOT23	文件：1.85901 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors 文件：1.85901 Mbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
S9013-SOT-23	文件：2.077659 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：2.077659 Mbytes 页数：4 Pages	HDSEMI 海德半导体	HDSEMI
S9013T_15	文件：101.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：101.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9013-TA	文件：661.49 Kbytes Page：4 Pages	丝印：EBC；Package：TO-92；Plastic-Encapsulate Transistors 文件：661.49 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

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晶体管资料

型号：
S9013
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N/P
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.5W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0.5

技术参数

Polarity：
NPN
PC_Max (mW)：
300
IC_Max (mA)：
500
V(BR)CBO_Min (V)：
40
V(BR)CEO_Min (V)：
25
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
120
hFE_Max：
400
@ VCE (V)：
1
VCE(sat)_Max (V)：
0.6
@ IC (mA)：
500
@ IB (mA)：
50
fT_Min (MHz)：
150

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更多S9013供应商更新时间2026-1-17 16:00:00

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