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S9011	文件：504.48 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features • Collector Current.(IC= 30mA） • Power dissipation.(PC=200mW) Mechanical Data • Case: SOT-23, Molded Plastic • Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 • Polarity: See Diagrams • Approx. Weight: 0.008 grams 文件：504.48 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
S9011	文件：156.87 Kbytes Page：2 Pages	丝印：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor 文件：156.87 Kbytes 页数：2 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
S9011	文件：823.42 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（NPN） FEATURE Power dissipation PCM : 0.31 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：823.42 Kbytes 页数：1 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
S9011	文件：125.84 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURE Power dissipation PCM : 0.31 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：125.84 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9011	文件：1.12291 Mbytes Page：2 Pages	丝印：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor 文件：1.12291 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
S9011	文件：125.84 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.31 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：125.84 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
S9011	文件：167.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor. 文件：167.37 Kbytes 页数：2 Pages	DSK	DSK
S9011	文件：440.11 Kbytes Page：2 Pages	Power dissipation FEATURE Power dissipation PCM : 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：440.11 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
S9011LT1	文件：131.21 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN ) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 文件：131.21 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9011LT1-SOT-23	文件：131.21 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN ) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 文件：131.21 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

技术参数

Polarity：
PNP
PC_Max (mW)：
200
IC_Max (mA)：
100
V(BR)CBO_Min (V)：
50
V(BR)CEO_Min (V)：
45
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
200
hFE_Max：
1000
@ VCE (V)：
5
VCE(sat)_Max (V)：
0.3
@ IC (mA)：
100
@ IB (mA)：
10
fT_Min (MHz)：
150

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