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S9004P2CT	文件：62.31 Kbytes Page：2 Pages	30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ● Schottky Barrier Chip ● Guard Ring Die Construction for Transient Protection ● Low Power Loss, High Efficiency ● High Surge Capability ● High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection A 文件：62.31 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
S9005P2CT	文件：62.26 Kbytes Page：2 Pages	20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features • Schottky Barrier Chip • Guard Ring Die Construction for Transient Protection • Low Power Loss, High Efficiency • High Surge Capability • High Current Capability and Low Forward Voltage Drop • For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free Wheeling, and Polarity Protection 文件：62.26 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
S9011	文件：504.48 Kbytes Page：2 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features • Collector Current.(IC= 30mA） • Power dissipation.(PC=200mW) Mechanical Data • Case: SOT-23, Molded Plastic • Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208 • Polarity: See Diagrams • Approx. Weight: 0.008 grams 文件：504.48 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
S9011	文件：156.87 Kbytes Page：2 Pages	丝印：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor 文件：156.87 Kbytes 页数：2 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
S9011	文件：823.42 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR（NPN） FEATURE Power dissipation PCM : 0.31 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：823.42 Kbytes 页数：1 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
S9011	文件：125.84 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURE Power dissipation PCM : 0.31 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：125.84 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9011	文件：1.12291 Mbytes Page：2 Pages	丝印：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor 文件：1.12291 Mbytes 页数：2 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
S9011	文件：125.84 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURE Power dissipation PCM: 0.31 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：125.84 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
S9011	文件：167.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● Collector Current.(IC= 30mA） ● Power dissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ● AM converter, AM/FM if amplifier general purpose transistor. 文件：167.37 Kbytes 页数：2 Pages	DSK	DSK
S9011	文件：440.11 Kbytes Page：2 Pages	Power dissipation FEATURE Power dissipation PCM : 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：440.11 Kbytes 页数：2 Pages	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY

晶体管资料

型号：
S9014
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N/P
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

技术参数

Polarity：
NPN
PC_Max (mW)：
200
IC_Max (mA)：
100
V(BR)CBO_Min (V)：
50
V(BR)CEO_Min (V)：
45
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
200
hFE_Max：
1000
@ VCE (V)：
5
VCE(sat)_Max (V)：
0.3
@ IC (mA)：
100
@ IB (mA)：
5
fT_Min (MHz)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳新景润电子科技有限公司	S9014	WACANM/新景润	22+	SOT-23	300000	国产现货原厂直销	询价
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承泽电子(北京)有限公司	S9014	长电	1603+	SOT-23	2707	S9014正品原装深圳现货	询价
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更多S90供应商更新时间2026-10-23 9:31:00

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