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S9011LT1	文件：131.21 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN ) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 文件：131.21 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9011LT1-SOT-23	文件：131.21 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN ) FEATURES Power dissipation PCM: 0.2 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 文件：131.21 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9011-TO-92	文件：125.84 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?NPN 竊 TRANSISTOR（NPN） FEATURE Power dissipation PCM : 0.31 W（T amb=25℃） Collector current ICM: 0.03 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55℃to +150℃ 文件：125.84 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9012	文件：843.67 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● High Collector Current ● Complementary To S9013 ● Excellent hFE Linearity 文件：843.67 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9012	文件：600.63 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2T1；Package：SOT-23；TRANSISTOR(PNP) FEATURES Complementary to S9013 Excellent hFE linearity 文件：600.63 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
S9012	文件：1.63318 Mbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Transistors PNP General Purpose Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：1.63318 Mbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
S9012	文件：184.8 Kbytes Page：4 Pages	丝印：2T1；Package：SOT-23；PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES ● High Collector Current.(IC= -500mA） ● Complementary To S9013. ● Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS ● High Collector Current. 文件：184.8 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
S9012	文件：175.39 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES ● Complementary to S9013 ● Excellent hFE linearity 文件：175.39 Kbytes 页数：2 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
S9012	文件：940.58 Kbytes Page：2 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSOSTOR (PNP) FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W Tamb=25°C Collector current ICM: -0.5 A Collector-basevoltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range Tj,Tstg: -55°C to+150°C 文件：940.58 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S9012	文件：774.03 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES • Complementary to S9013 • Excellent hFE linearity 文件：774.03 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI

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晶体管资料

型号：
S9014
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N/P
性质：
通用型（Uni）_低噪放大（ra）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

技术参数

Polarity：
NPN
PC_Max (mW)：
200
IC_Max (mA)：
100
V(BR)CBO_Min (V)：
50
V(BR)CEO_Min (V)：
45
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
200
hFE_Max：
1000
@ VCE (V)：
5
VCE(sat)_Max (V)：
0.3
@ IC (mA)：
100
@ IB (mA)：
5
fT_Min (MHz)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳新景润电子科技有限公司	S9014	WACANM/新景润	22+	SOT-23	300000	国产现货原厂直销	询价
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承泽电子(北京)有限公司	S9014	长电	1603+	SOT-23	2707	S9014正品原装深圳现货	询价
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深圳市鑫炜纳电子有限公司	S9014	UMW友台半导体	2021+	原厂原封装	93628	原装进口现货假一罚百	询价
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更多S90供应商更新时间2026-10-23 9:31:00

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