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C4D20120D	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat	CreeCree, Inc 科锐	Cree
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E4D20120A	文件：1.29729 Mbytes Page：9 Pages	E-SeriesAutomotive4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
E4D20120D	文件：734.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeE-SeriesAutomotive Features •4thGenerationSiCMergedPINSchottkyTechnology •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable •HumidityResistant Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •Essentially	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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S4D20120A	文件：1.30191 Mbytes Page：8 Pages	1200VSICPOWERSCHOTTKYRECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE

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