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S4D20120G	文件：1.30191 Mbytes Page：8 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage Terminals finish: 100 Pure Tin “-A” is an AEC-Q101 qualified device Pb − Free Device All SMC p 文件：1.30191 Mbytes 页数：8 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S4D20120GTR	文件：1.30191 Mbytes Page：8 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage Terminals finish: 100 Pure Tin “-A” is an AEC-Q101 qualified device Pb − Free Device All SMC p 文件：1.30191 Mbytes 页数：8 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S4D20120G	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V Silicon Carbide Schottky Rectifier	SMC 桑德斯微电子	SMC
S4D20120G-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMC 桑德斯微电子	SMC
S4D20120GTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE

更多S4D20120G供应商更新时间2025-10-8 11:06:00