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S40D30	文件：258.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(40A,30-60V) UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal. Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprotectiondiodes.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D30C	文件：258.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(40A,30-60V) UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal. Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprotectiondiodes.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D30C	文件：56.33 Kbytes Page：4 Pages	40A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features SchottkyBarrierChip GuardRingforTransientProtection LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability EpoxyMeetsUL94V-0Classification IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
S40D30CE	文件：180.44 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS40AMPERES30-60VOLTS UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificati	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D35C	文件：56.33 Kbytes Page：4 Pages	40A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features SchottkyBarrierChip GuardRingforTransientProtection LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability EpoxyMeetsUL94V-0Classification IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
S40D35CE	文件：180.44 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS40AMPERES30-60VOLTS UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificati	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D40	文件：258.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(40A,30-60V) UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal. Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarityprotectiondiodes.	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D40C	文件：56.33 Kbytes Page：4 Pages	40A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features SchottkyBarrierChip GuardRingforTransientProtection LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability EpoxyMeetsUL94V-0Classification IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
S40D40CE	文件：180.44 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS40AMPERES30-60VOLTS UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectificati	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
S40D45C	文件：56.33 Kbytes Page：4 Pages	40A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features SchottkyBarrierChip GuardRingforTransientProtection LowForwardVoltageDrop LowPowerLoss,HighEfficiency HighSurgeCurrentCapability EpoxyMeetsUL94V-0Classification IdeallySuitedforUseinHighFrequency SMPS,InvertersandAsFreeWheelingDiodes	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

产品属性

产品编号：
S40D
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
40A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-5
工作温度 - 结：
-65°C ~ 190°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 40A DO5

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